Транзисторы полевые, IGBT

RFD 15P12 Транзистор
RFD 15P12 Транзистор Корпус: TO220
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 120
Макс. ток (Iси), А: 15
184
В наличии В наличии: 2 шт
RHU002N06FRAT106STB  Транзистор
RHU002N06FRAT106STB Транзистор Корпус: SOT323
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 0.2
50
Нет в наличии
RJH30E2 Транзистор
RJH30E2 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 360
Макс. ток (Iси), А: 30
71
В наличии В наличии: 4 шт
RJH60F5DPK Транзистор
RJH60F5DPK Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 80
263
В наличии В наличии: 1 шт
RJP30H1 TO252 Транзистор
RJP30H1 TO252 Транзистор Корпус: TO252
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 360
Макс. ток (Iси), А: 30
62
В наличии В наличии: 2 шт
RJP30H1 Транзистор
RJP30H1 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 360
Макс. ток (Iси), А: 30
160
Нет в наличии
RJP30H2A Транзистор
RJP30H2A Транзистор Корпус: D2PAK
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 360
Макс. ток (Iси), А: 35
350
В наличии В наличии: 1 шт
RJP43F4ADPP Транзистор
RJP43F4ADPP Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 430
Макс. ток (Iси), А: 40
329
Нет в наличии
RJP63F3 Транзистор
RJP63F3 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 430
Макс. ток (Iси), А: 40
125
В наличии В наличии: 3 шт
RJP63K2 D2PAK Транзистор
RJP63K2 D2PAK Транзистор Корпус: D2PAK
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 630
Макс. ток (Iси), А: 35
168
Нет в наличии