Вход
Транзисторы полевые, IGBT
P2804 Транзистор
Корпус:
PPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
25
В наличии: 
PSMN035-150P Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
150
Макс. ток (Iси), А:
50
Нет в наличии
QM3016D Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
96
R4383 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
36
RD01MUS2 ( K5) Транзистор
Корпус:
SOT89
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
0.6
RD07MVS1 Транзистор
Корпус:
SLP
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
3
RD15HVF1 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
4
RD16HHF1 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
50
Макс. ток (Iси), А:
5
RDN 150N20 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
15
RFD 15P05 Транзистор
Корпус:
TO251
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
50
Макс. ток (Iси), А:
15