Вход
Транзисторы полевые, IGBT
IRL2910SPBF Транзистор
Корпус:
D2PAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
55
Нет в наличии
IRL3103 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
56
В наличии: 
IRL3705N Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
89
IRL3705NS Транзистор
Корпус:
D2PAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
89
IRL3713 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
200
IRL3803 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
120
IRL40SC228 Транзистор
Корпус:
D2PAK-7
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
557
IRL530N Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
17
IRLB3034 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
343
IRLB3813 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
260