Транзисторы полевые, IGBT
IRF830 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
500
Макс. ток (Iси), А:
5
IRF840 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
500
Макс. ток (Iси), А:
8
IRF9520N Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
6.8
IRF9530N Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
14
IRF9540N Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
23
IRF9610 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
1.8
IRF9630 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
6.5
IRF9640 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
11
IRF9Z24 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
9.8
IRF9Z34 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
18