Транзисторы полевые, IGBT
GT50T301 Транзистор
Корпус:
2-21F1A
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1500
Макс. ток (Iси), А:
50
GT60N321 Транзистор
Корпус:
2-21F2C
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1000
Макс. ток (Iси), А:
60
GW 30NC60 KD Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
20
GW 40V60DF Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
40
GW 60V60DF Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
60
H15R1203 Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
15
H20R1202 (20N120R2) Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
20
H20R1203 Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
20
H30R1202 (30N120R2) Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
30
H30R1203 (30N120R3) Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
30