Вход
Каталог товаров
Поиск по фильтрам
Недавно просмотренные
2SB1274 ТранзисторТранзисторы полевые, IGBT
FDS9933 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
2P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
5
Нет в наличии
FDS9945 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
3.5
В наличии: 
FDS9962 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
7
FGA 15N120AND Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
24
FGA 25N120ANTD Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
75
FGD4536 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
360
Макс. ток (Iси), А:
50
FGH 30S130P Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
P-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1300
Макс. ток (Iси), А:
60
FGH 40N60SFD Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
75
FGH 40N60SFDTU Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
75
FGH 40N60SMD Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
75