Вход
Каталог товаров
Поиск по фильтрам
Недавно просмотренные
L 7812CV (КР142ЕН8Б) МикросхемаТранзисторы полевые, IGBT
FQPF 12N60FI (220 F) Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
12
В наличии: 
FQPF 12N60FI Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
12
Нет в наличии
FQPF 4N60B Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
4
FQPF 4N90C Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
900
Макс. ток (Iси), А:
4
FQPF 8N60F (C) Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
7.5
FS10KM-12 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
5
FS5KM -10A Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
500
Макс. ток (Iси), А:
5
FS8205A Транзистор
Корпус:
SOP8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
19.5
Макс. ток (Iси), А:
4
G 30N60 A4 Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
400
Макс. ток (Iси), А:
30
G 30N60 A4D Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
75