Транзисторы полевые, IGBT
100N03 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
100
10N20 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
10
10N20L Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
10
10N90 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
900
Макс. ток (Iси), А:
10
10NK60ZFP Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
10
10NK80ZFP Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
800
Макс. ток (Iси), А:
9
10PF06 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
10
13N10 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
12.8
14NC60KD DPAK Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
14
14NC60KD TO220 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
14
17N80 C3 TO247 Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
800
Макс. ток (Iси), А:
17
17N80 C3 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
800
Макс. ток (Iси), А:
17
20N60(65) C3 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
650
Макс. ток (Iси), А:
20
2N7000 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
0.2
2N7002 Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
0.12
2S K2056 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
800
Макс. ток (Iси), А:
4
2S K2267 Транзистор
Корпус:
2-21F1A
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
60
2SJ103 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
50
Макс. ток (Iси), А:
0.014
2SJ162 Транзистор
Корпус:
TO3PB
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
160
Макс. ток (Iси), А:
7
2SJ176 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
15
2SJ177 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
20
2SJ200 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
180
Макс. ток (Iси), А:
10
2SJ201 Транзистор
Корпус:
2-21F1A
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
12
2SJ377 Транзистор
Корпус:
D2PAK
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
5
2SJ449 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
250
Макс. ток (Iси), А:
6
2SJ5027F plast Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
300
Макс. ток (Iси), А:
3
2SJ512 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
250
Макс. ток (Iси), А:
5
2SJ5804 Транзистор
Корпус:
TO3PF
Структура:
NPN
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
1.8
Макс. напряжение (Uкэ), В:
1700
Макс. ток (Iк), А:
20
Коэф. усиления (h21э):
80
Макс. частота (fгр), МГц:
45
2SJ6806D Транзистор
Корпус:
TO3PF
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
2.5
2SK1058 Транзистор
Корпус:
TO3PB
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
160
Макс. ток (Iси), А:
7